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1，电脑内存怎么设置
物理内存是无法设置的，只能够购买内存条来加大。
虚拟内存可以设置，右击我的电脑，属性，高级，第一个设置，高级，更改。2，电脑内存怎么设置最好
这个不怎么影响性能，我一般设置1000M到1500M，别那么死板。在哪个盘都行。只设置一个盘即可你说的是虚拟内错吧，一般设置为实际的3.5倍为佳。如果你的C盘小那就设到其它盘去，最小1024。最大2048。就可以了。微软推荐虚拟内存设为物理内存的1.5-2倍，个人认为512的内存最好虚拟内存也设为512，且最大值和最小值均设为512，不要设在系统盘，免得频繁读写增加系统盘的垃圾文件和磁盘碎片，影响系统性能。3，电脑的内存如何调整
【分析处理】
出现这种原因大多是由于运行的程序太多或是开的图片过多,可以试着增加虚拟内存.方法如下:
右击“我的电脑”选择“属性”,在弹出的“系统特性”对话框中点击“高级”,在“高级”选项卡中点击“性能选项”中的“设置”,在弹的“性能选项”对话框中点击“高级”、“虚拟内存”中的“更改”,出现“虚拟内存”设置对框.
这里就可以改了,电脑默认是C盘,最好不要改,这里只要改动“初始大小”就行了,把它改成与“最大值”一样大小，如果硬盘空间比较大，此值最大可设为4096，这个虚拟内存就是你的最大虚拟内存,最后点击“设置”,再点击“确定”建议使用优化之类的软件来优化以下即可 如 大师 等4，电脑内存怎么设置合理
系统--高级--性能--设置--高级--虚拟内存--更改--选择D或其它非系统分区--自定义大小--输入大小M--设置；选C或系统所在分区--无分页文件--设置--确定，这样就把虚拟存储器也转到其他硬盘上了。 在除C以外的分区设置，初始值768，最大值1024这个跟内存关系不大，你C盘空间大一点就好了。这样情况应该是你要清理垃圾了一般将虚拟内存设置在系统盘以外的盘里。更改虚拟内存的方法：
建议将虚拟内存与操作系统放置在不同的分区，并且设置固定大小，一般为系统内存容量的1．5倍；
用鼠标右键点击“我的电脑”，
选择“属性”，
弹出系统属性窗口，选择“性能选项”标签，
点击下面“虚拟内存”按钮，
弹出虚拟内存设置窗口，
点击“用户自己指定虚拟内存设置”单选按钮，
“硬盘”请选较大剩余空间的分区，然后在“最小值”和“最大值”文本框中输入合适的范围值。如果你感觉使用系统来获得最大和最小值有些麻烦的话，这里完全可以选择“让Windows管理虚拟内存设置”，不过要确保虚拟内存所在分区剩余空间足够大（系统内存的2倍以上）。
设置完重启就ok了。
还有一个可能就是中毒了。有些病毒发作时会占用大量内存空间，导致系统出现内存不足的问题。赶快去杀毒看看，升级病毒库，然后把防毒措施做好! 将虚拟内存设到其它硬盘里就好，大小比实际内存大一点就好，不要太大。按图来。
5，怎么用BIOS设置内存我要具体的操作步骤
BIOS 设置内存 ? 你说的是 把667设置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字样 然后下调 条到 533 或 400SDRAM CAS Latency Time（内存CAS延迟时间） 可选项：2，3。内存CAS（Column Address Strobe，列地址选通脉冲）延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。 SDRAM Cycle Time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）可选项：5/7，7/9。该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间（Row Active Time），它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间（Row Cycle Time），它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。 SDRAM RAS-TO-CAS Delay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）可选项：2，3。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。（^23030501a^） SDRAM RAS Precharge Time（内存行地址选通脉冲预充电时间）可选项：2，3。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据步骤很少 但是选项和定义很多 建议你自己研究主板说明书
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